技術(shù)編號(hào):11522126
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域,進(jìn)一步的涉及一種阻變存儲(chǔ)器,還涉及一種阻變存儲(chǔ)器的制備方法。背景技術(shù)阻變存儲(chǔ)器(RRAM)是一種新型的不揮發(fā)存儲(chǔ)器技術(shù),存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作速度快、功耗低且信息保持穩(wěn)定,在嵌入式應(yīng)用和獨(dú)立式應(yīng)用里具有廣泛的用途。RRAM利用材料電阻率的可逆轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制信息的存儲(chǔ)。但目前主要在可靠性上還存在若干問(wèn)題,如保持特性、良率還需進(jìn)一步提高,而激活電壓需要進(jìn)一步降低。現(xiàn)有技術(shù)中,TaOx基類阻變存儲(chǔ)器,其編程過(guò)程類似于介質(zhì)的擊穿,在Ta2O5薄膜內(nèi)部產(chǎn)生氧空位鏈(即導(dǎo)電通道),但是...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。