技術(shù)編號：11530081
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了以成本有效的方式支撐超導(dǎo)線圈的布置，同時(shí)該布置使線圈與支撐結(jié)構(gòu)之間的不期望的相互作用最小化，業(yè)已知道，該相互作用是不期望的自發(fā)失超的主要原因。失超是當(dāng)超導(dǎo)線圈快速恢復(fù)到其非超導(dǎo)狀態(tài)時(shí)造成存儲(chǔ)在磁體中的能量的耗散和隨之發(fā)生的結(jié)構(gòu)加熱的事件。背景技術(shù)圖1示意性地表示穿過用于MRI(磁共振成像)系統(tǒng)的傳統(tǒng)主動(dòng)屏蔽超導(dǎo)磁體的徑向截面。磁體基本上關(guān)于軸線A-A旋轉(zhuǎn)對稱。在本文檔中，術(shù)語“軸向”將用來描述平行于軸線A-A的方向，而術(shù)語“徑向”將用來描述在穿過該軸線的平面中延伸的垂直于軸線A-A的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。