技術編號:11585640
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開涉及半導體存儲器,以及更加具體地涉及存儲器封裝、具有該存儲器封裝的存儲器模塊及其操作方法。背景技術半導體存儲器可以是使用比如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等的半導體實現的存儲器裝置。半導體存儲器裝置典型地被劃分為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置指的是其中當電源關閉時所存儲的數據丟失的存儲器裝置。另一方面,非易失性存儲器裝置指的是當電源關閉時保持所存儲的數據的存儲器裝置。因為作為一種易失性存儲器裝置的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)具有高存取...
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