技術(shù)編號(hào):11586312
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)涉及襯底處理系統(tǒng)和方法,并且更具體地涉及用于執(zhí)行硬掩膜的平坦化的襯底處理系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)這里提供的背景描述是為了一般地呈現(xiàn)本公開(kāi)的上下文的目的。署名的發(fā)明人(在該背景技術(shù)部分描述的、以及在提交時(shí)不會(huì)被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)的描述的方面的范圍內(nèi))的工作,既不明確地也不隱含地認(rèn)為是針對(duì)本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)。襯底處理系統(tǒng)可用于在諸如半導(dǎo)體晶片的襯底上沉積和蝕刻薄膜。襯底處理系統(tǒng)通常包括處理室、氣體分配裝置和襯底支撐件。在處理期間,襯底被布置在襯底支撐件上。可以將不同的氣體混合物引入到處理室中,并且射頻(...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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