技術(shù)編號:11613770
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及反應(yīng)器技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種鎵源反應(yīng)器。背景技術(shù)氫化物氣相外延(HVPE,HydrideVaporPhaseEpitaxy)設(shè)備為化合物生長工藝設(shè)備,主要用于在1000度左右高溫環(huán)境下通過如H2、HCl等氫化物氣體,使襯底表面外延生長一層如GaAs、GaN等的厚膜或晶體?,F(xiàn)有HVPE設(shè)備中,氯化氫氣體與金屬鎵進行反應(yīng)的鎵源反應(yīng)器主要存在以下缺陷:1、氯化氫氣體與金屬鎵的接觸時間短,氯化氫氣體未參與反應(yīng)就已經(jīng)流出反應(yīng)區(qū)。2、反應(yīng)器內(nèi)的液態(tài)金屬鎵的余量的變化,引起氯化氫轉(zhuǎn)化為氯化鎵的比率...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。