技術編號：11614775
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種長晶爐，是一種液相法生長碳化硅晶體的裝置。背景技術現(xiàn)有的液相法生長碳化硅晶體，是通過加熱將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再通過頭部貼付有籽晶的籽晶軸伸入到溶液中去生長晶體。液相法生長晶體時，通過在籽晶軸內通入冷卻介質來冷卻籽晶軸的下端部，進而冷卻下部的籽晶，同時使附近區(qū)域冷卻，使附近區(qū)域的SiC成為過飽和狀態(tài)，促進SiC單晶體的生長。但是，若附近區(qū)域以外的周邊區(qū)域的溫度不均勻，則在周邊區(qū)域中，容易因自然生成晶核而生成SiC多晶體，所生成的SiC多晶體若流動至籽晶處...
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