技術(shù)編號：11621829
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明實施例涉及封裝及其形成方法以及用于接合的多撞擊工藝。背景技術(shù)由于集成電路的發(fā)明，由于各個電組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的持續(xù)改進，半導體工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了持續(xù)地快速增長。對于大部分而言，這種集成密度的改進來自于最小部件尺寸的連續(xù)減小，這使得更多的組件集成到給定的區(qū)域。這些集成改進基本上是二維(2D)的性質(zhì)，由集成組件占據(jù)的體積基本上在半導體晶圓的表面上。雖然光刻中的巨大改進已經(jīng)引起了2D集成電路形成中的相當大的改進，但是對于二維中獲得的密度，存在物理限制。這些限制的...
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