技術(shù)編號(hào)：11684389
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種二硫化鉬/石墨烯層狀組裝體的制備方法，屬于半導(dǎo)體薄膜材料制備領(lǐng)域。背景技術(shù)二維層狀材料二硫化鉬、石墨烯因?yàn)槠洫?dú)特的平面結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的強(qiáng)電子-空穴限域、柔韌性、高透明性等性質(zhì)，使其在下一代更薄、更靈活、高性能的光電器件領(lǐng)域都有較為廣泛的應(yīng)用。但是單獨(dú)二硫化鉬制備而成的光電晶體管具有低的光響應(yīng)7.5mA/W，這是因?yàn)槎蚧f的低載流子遷移率，另外還有器件中二硫化鉬和電極間形成的肖特基結(jié)(受電極材料的調(diào)控)的影響。又因?yàn)槭┑奈舛葍H有可見光的2.3％，單獨(dú)石墨烯制備的光電探測器的光響應(yīng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。