技術(shù)編號(hào)：11692111
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及一種再分布層結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體襯底結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)、芯片結(jié)構(gòu)及其制造方法，并且更明確地說(shuō)，涉及一種包括位在介電層表面上的抗鍍層的再分布層結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)降低集成電路裝置的大小及間距推動(dòng)了IC封裝襯底制造的進(jìn)步。舉例來(lái)說(shuō)，在圖案化襯底中使用激光鉆孔正變得越來(lái)越普遍。因此需要對(duì)用于電鍍經(jīng)激光投影圖案化襯底的金屬化技術(shù)進(jìn)行改良，諸如進(jìn)行降低成本、縮短制造時(shí)間和減小對(duì)圖案或襯底的破壞的改良。發(fā)明內(nèi)容本申請(qǐng)的一個(gè)方面涉及一種再分布層結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，再分布層結(jié)構(gòu)包含介電層、抗鍍層和導(dǎo)電材料。介電...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。