技術(shù)編號：11692142
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于半導體裝置的封裝，且更特定來說，涉及用于紫外發(fā)射裝置的封裝。背景技術(shù)III族氮化物材料(其包含(Al、Ga、In)—N及其合金)的帶隙從InN的非常窄的隙(0.7eV)延伸到AlN的非常寬的隙(6.2eV)，從而使III族氮化物材料高度適用于跨越從近紅外延伸到深紫外的較寬的光譜范圍的光電子應用(例如，發(fā)光二極管(LED)、激光二極管、光學調(diào)制器及檢測器)。可在有源層中使用InGaN獲得可見光LED及激光器，而紫外(UV)LED及激光器需要較大帶隙的AlGaN。期望具有在230到35...
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