技術編號：11709270
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造工藝技術領域，尤其是涉及一種半導體靜態(tài)電流的測試器件及測試方法。背景技術半導體鋁柵工藝通常為6層光刻完成，通過刻蝕、注入、摻雜等工藝，將客戶設計的邏輯電路圖形，從光刻版復制到硅片上。其中，半導體晶圓廠商在制造的尾段，會對基礎器件進行基礎工藝參數(shù)測量。其中，基礎工藝參數(shù)測量包括：晶圓允收測試WAT測量，包括金屬-氧化物-半導體MOS特性測量、電阻阻值測量和電容大小測量。在WAT測量初始判斷合格后，客戶進行產(chǎn)品邏輯功能、頻率、靜態(tài)電流、輸出電流電壓和開短路等芯片探測CP良率測試。...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。