技術(shù)編號：11719830
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種可提高M(jìn)OCVD反應(yīng)腔內(nèi)載盤溫度均勻性的加熱裝置，屬于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積反應(yīng)領(lǐng)域。背景技術(shù)MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition)設(shè)備，即金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備，是一種集計(jì)算流體力學(xué)、熱力傳導(dǎo)、系統(tǒng)集成控制、化合物生長等各學(xué)科于一體的高科技、新技術(shù)高度集中的設(shè)備，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵性設(shè)備。在MOCVD設(shè)備中，反應(yīng)腔溫度的均勻性是生產(chǎn)高質(zhì)量薄膜的關(guān)鍵性因素，均勻的反應(yīng)腔溫度直接影響著外延沉積的均勻性和生長界面的陡峭性，以GaN...
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