技術(shù)編號(hào)：11730835
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件朝著更高元件密度以及更高集成度的方向發(fā)展。為了提高集成度，晶體管的密集程度不斷提高，間距逐漸縮小。半導(dǎo)體器件向高集成度發(fā)展的同時(shí)，也伴隨著溝道載流子遷移速率降低的問題。為了提高晶體管溝道載流子遷移速率，現(xiàn)有工藝引入了應(yīng)變硅技術(shù)。應(yīng)變硅技術(shù)的原理為在晶體管的漏、源區(qū)外延生長(zhǎng)一層晶格常數(shù)不同于硅襯底晶格常數(shù)的晶體。此外，為了實(shí)現(xiàn)漏源區(qū)與外部電路的連接，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法需在所述晶體上形成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。