技術(shù)編號(hào):11810285
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體行業(yè)存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于聚合物的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器及其制備方法。背景技術(shù)有機(jī)存儲(chǔ)器件由于其高響應(yīng)速度,高存儲(chǔ)密度并可穿戴性而獲得廣泛關(guān)度,現(xiàn)有基于電容電阻結(jié)構(gòu)的有機(jī)存儲(chǔ)器件因其電荷泄露,尺寸大,器件耐受性差和難以集成化等缺點(diǎn)而限制了其商業(yè)化推廣。而另一種有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)由于其非破壞性讀取,可多階存儲(chǔ)并且可大面積應(yīng)用于集成電路等特點(diǎn),非常適合下一代可穿戴電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。相比于傳統(tǒng)的晶體管,OFET在半導(dǎo)體層和控制柵極之間是有機(jī)存儲(chǔ)活性層,又稱為電荷存儲(chǔ)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。