技術(shù)編號：11834696
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種與非(NAND)型快閃存儲器(flashmemory)等非易失性半導(dǎo)體存儲裝置，尤其涉及一種快閃存儲器及其編程方法。背景技術(shù)NAND型快閃存儲器包含多個NAND串(string)，1個NAND串具有：串聯(lián)連接的多個存儲單元(memorycell)；與存儲單元其中一個的端部連接的源極線側(cè)選擇晶體管；以及與存儲單元的另一個端部連接的位線側(cè)選擇晶體管。各存儲單元的控制柵極連接于對應(yīng)的字線，在源極線側(cè)選擇晶體管的柵極連接有選擇柵極線SGS，在位線側(cè)選擇晶體管的柵極連接有選擇柵極線SGD。這...
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