技術(shù)編號：11836569
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及半導(dǎo)體制造工藝晶圓級電遷移評估；更具體地說，本發(fā)明涉及一種自加熱電遷移測試結(jié)構(gòu)以及晶圓級自加熱電遷移測試方法。背景技術(shù)電遷移(EM)可靠性驗(yàn)證是產(chǎn)品開發(fā)、制程監(jiān)測的關(guān)鍵項(xiàng)目；常規(guī)電遷移評估、驗(yàn)證由于需要封裝，在恒流、恒溫條件下進(jìn)行，評估、驗(yàn)證周期長，難以達(dá)到生產(chǎn)、開發(fā)對時(shí)效性的要求；所以，電遷移的晶圓級快速評估方式需求變得越來越急迫。當(dāng)前，晶圓級自加熱電遷移評估，采用高溫、高電流進(jìn)行加速評估，能有效節(jié)省評估時(shí)間，給出初步結(jié)論。但是，由于采用高溫、高電流進(jìn)行加速測...
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