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      具有低功率邏輯器件的分柵式閃存單元器件的形成方法與流程技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):11836675

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      本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,更具體地,涉及閃存單元器件。背景技術(shù)半導(dǎo)體制造工業(yè)的趨勢(shì)為將復(fù)合(composite)半導(dǎo)體器件的不同半導(dǎo)體部件集成到普通半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中。這種集成使得制造成本更低、制造過(guò)程簡(jiǎn)化和工作速度提高。一種復(fù)合半導(dǎo)體器件類(lèi)型是嵌入式閃存器件。嵌入式閃存器件包括由閃存單元器件和支持閃存單元器件操作的邏輯器件而組成的陣列。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方,提供了一種嵌入式閃存器件,包括:柵疊件,包括布置在浮柵上方的控制柵極;擦除柵極,布置為與柵疊件的第一側(cè)相鄰;字線(xiàn),布置為與柵疊件的與第一側(cè)...
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