技術(shù)編號(hào)：11836680
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及閃速存儲(chǔ)器及其形成方法。背景技術(shù)閃速存儲(chǔ)器是可以被電擦除和重復(fù)編程的電子非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)。該閃速存儲(chǔ)器廣泛地用于商業(yè)和軍事上的各種電子器件和設(shè)備中。為了存儲(chǔ)信息，閃速存儲(chǔ)器包括通常由浮置柵極晶體管制成的可尋址的存儲(chǔ)器單元陣列。常用類型的閃速存儲(chǔ)器單元包括堆疊柵極存儲(chǔ)器單元和分離柵極閃速存儲(chǔ)器單元(如，第三代SUPERFLASH(ESF3)存儲(chǔ)器單元)。分離柵極閃速存儲(chǔ)器單元相比于堆疊柵極存儲(chǔ)器單元具有若干優(yōu)勢(shì)，諸如更低功耗、更高注入效率、不易受...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。