技術(shù)編號：11836851
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種Ⅲ族氮化物增強型HEMT器件及其制作方法，特別涉及一種采用離子注入實現(xiàn)增強型GaNHEMT的方法，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，背景技術(shù)HEMT器件(高電子遷移率晶體管)是充分利用半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)形成的二維電子氣而制成的，與其他材料(如AlGaAs/GaAs)制成的HEMT相比，Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體由于壓電極化和自發(fā)極化效應(yīng)，在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)上(Heterostructure)，能夠形成高濃度的二維電子氣。所以在使用AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)制成的HEMT器件中，勢壘層AlGaN一般...
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