技術(shù)編號：11841488
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體機械設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種碳化硅單晶制造裝置。背景技術(shù)升華法是目前制造碳化硅晶體的標(biāo)準(zhǔn)方法，一般采用中頻感應(yīng)加熱方式，即對坩堝內(nèi)的碳化硅進行加熱升華，并在坩堝上方還設(shè)有籽晶，因此氣態(tài)碳化硅上升并接觸到籽晶后凝結(jié)并形成碳化硅單晶。加熱器對爐體內(nèi)的大環(huán)境進行加熱，難以對晶體生長面的溫度進行精準(zhǔn)控制，且目前采用的方法是直接將晶體生長面的溫度設(shè)置在2250℃左右，但是直接在該溫度下生長的碳化硅單晶在后續(xù)的機械加工過程中容易出現(xiàn)破損，為了提高碳化硅單晶的品質(zhì)，只能降低生長速度，同時減小生長...
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