技術(shù)編號：11851909
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法及碳化硅半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)在碳化硅半導(dǎo)體裝置中，對于工作時載流子通過碳化硅基板而在縱向行走的裝置，通過使基板厚度變薄，可以減小元件電阻。因此為了進(jìn)一步的低電阻化，需要對基板進(jìn)行薄板化而制造的碳化硅半導(dǎo)體裝置。在引入了對基板進(jìn)行薄板化的工序的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法中，為了削減使基板厚度變薄中的工序數(shù)，希望在形成半導(dǎo)體裝置的表面結(jié)構(gòu)后形成背面結(jié)構(gòu)、在形成背面結(jié)構(gòu)時使基板厚度變薄。因此，在表面結(jié)構(gòu)的形成后形成背面結(jié)構(gòu)，但在形成碳化硅半導(dǎo)體裝置的背面結(jié)構(gòu)的工序中...
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