技術(shù)編號：11869327
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，具體涉及一種等離子體刻蝕爐。背景技術(shù)現(xiàn)有的等離子體刻蝕爐，有的也可以放置多片晶圓，以便同時對多片晶圓進行刻蝕過程，但是現(xiàn)有的等離子體刻蝕爐中，多片晶圓一般都層疊放置，而反應(yīng)氣體的通入孔只能是偏置在爐體的一端，則如果刻蝕過程中有氣體通入后，則處于后方的晶圓對氣體的接觸面較少，會造成反應(yīng)不均勻。發(fā)明內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明公開了一種等離子體刻蝕爐。本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種等離子體刻蝕爐，包括圓柱狀的爐體；所述爐體的一端的上側(cè)開放有氣體進入通道；所述爐體下側(cè)開放有真...
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