技術編號：11869535
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種無縫多晶硅插塞(seamfreepolyplug)的形成方法。背景技術三維數(shù)據(jù)型存儲技術(3D-NAND)以其小體積、大容量為出發(fā)點，將儲存單元采用三維模式層層堆疊的高度集成為設計理念，生產(chǎn)出高單位面積存儲密度，高效存儲單元性能的的存儲器，已經(jīng)成為新興存儲器設計和生產(chǎn)的主流工藝。目前，在3DNAND結構的制備工藝中，如圖1a～1d所示，首先采用原子層沉積(AtomicLayerDeposition，簡稱ALD)的方法于接觸孔(channelhole)4中...
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