技術(shù)編號(hào)：11869567
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種提高閃存低溫?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)特性的方法。背景技術(shù)隨著MOS電路尺寸的不斷縮小，柵氧化層向更薄的方向發(fā)展，而電源電壓的降低并不能夠和柵氧減薄同步，這使得柵氧化層工作在較高的電場強(qiáng)度下，柵氧化層的可靠性問題突出。對(duì)于閃存(Flash)產(chǎn)品而言，產(chǎn)品的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力(DataRetention)要滿足要求，器件的隧道氧化層(TunnelOxide)就至關(guān)重要。對(duì)于閃存來說，為了提高產(chǎn)品的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力，則希望多摻雜N，同時(shí)還要提高隧道氧化層的質(zhì)量和硅-氧化物(S...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。