技術(shù)編號(hào)：11870189
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種LED芯片的P電極結(jié)構(gòu)、LED芯片結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)LED常規(guī)正裝芯片結(jié)構(gòu)包括以下五個(gè)步驟：Mesa、CB、TCL、Pad、PV。其中CB（電流阻擋）層常使用的方式是硅的氧化物或者氮化物等絕緣材料。這類材料雖然可以形成很好的絕緣層，達(dá)到電流阻擋的目的，但是該層由于材料本身性質(zhì)的限制，在芯片封裝打線的過程中，常出現(xiàn)CB層被打碎從而導(dǎo)致芯片電極脫落的現(xiàn)象。常規(guī)的正裝LED芯片電極分布于芯片正面，與芯片出光面相同，由于電極不透光，對(duì)于芯片外量子效率影響較大...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。