技術(shù)編號(hào)：11925570
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有高濃度硼摻雜鍺的晶體管本申請(qǐng)為分案申請(qǐng)，其原申請(qǐng)是2013年6月21日進(jìn)入中國國家階段、國際申請(qǐng)日為2011年12月7日的國際專利申請(qǐng)PCT/US2011/063813，該原申請(qǐng)的中國國家申請(qǐng)?zhí)柺?01180062124.7，發(fā)明名稱為“具有高濃度硼摻雜鍺的晶體管”。背景技術(shù)包括形成于半導(dǎo)體襯底上的晶體管、二極管、電阻器、電容器及其他無源和有源電子器件的電路器件的提高的性能，通常是在這些器件的設(shè)計(jì)、制造和操作過程中考慮的主要因素。例如，在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管半導(dǎo)體器件(例如在互補(bǔ)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。