技術(shù)編號：11937908
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體元器件的制作方法。背景技術(shù)硒化鎵(GaSe)晶體具有非線性系數(shù)大、透光波段寬、雙折射率大、激光損傷閾值較高和垂直于光軸方向熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)，是產(chǎn)生8-10μm中遠(yuǎn)紅外激光的最重要和最好的材料之一。GaSe晶體可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波段的功率輸出，其在0.1–10.0THz波段線性光學(xué)吸收系數(shù)是目前太赫茲波段非線性光學(xué)晶體吸收最小的。GaSe為六方晶系層狀晶體，空間群晶格常數(shù)a＝0.375nm，c＝1.595nm，每一層按Se-Ga-Ga-Se的順序由共價鍵相結(jié)合，其中Ga-Ga鍵平行于c軸，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。