技術(shù)編號:11946085
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電子科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種探針法測量介質(zhì)材料表面電位的裝置及方法。背景技術(shù)在研究電子束激發(fā)的二次電子發(fā)射現(xiàn)象中,往往采用金屬筒狀收集極偏壓法對二次電子發(fā)射系數(shù)進行測量。當(dāng)入射電子照射介質(zhì)樣品后,由于介質(zhì)材料導(dǎo)電性差,致使樣品材料表面會有電子積累,從而產(chǎn)生帶電現(xiàn)象,進而影響二次電子發(fā)射特性。為了中和介質(zhì)表面所帶的電荷,可以采用迫使二次電子返回的技術(shù),如負(fù)偏壓金屬筒狀收集極的方法。這種方法可以使樣品累積的電荷穩(wěn)定在一個負(fù)帶電的狀態(tài)下。此時,經(jīng)中和后,樣品表面具有一個穩(wěn)定的負(fù)電位。對該...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。