技術(shù)編號(hào)：11955733
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有改進(jìn)的熱特性的晶圓基座。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)歷了快速發(fā)展。在IC的發(fā)展過(guò)程中，通常增大了功能密度(即，在每個(gè)芯片面積內(nèi)的互連器件的數(shù)量)，同時(shí)縮小幾何尺寸(即，使用制造工藝可以得到的最小組件(或線))。這種按比例縮小工藝的通常提高了生產(chǎn)效率并降低了相關(guān)成本的優(yōu)點(diǎn)。然而，這種按比例縮小工藝還伴隨著增加了設(shè)計(jì)和制造包括這些IC的器件的復(fù)雜性，并且為了實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)步，需要在器件設(shè)計(jì)方面具有相似的發(fā)展。例如，外延是一種用于沉積材料的常用技術(shù)，經(jīng)常用于制造集成電路，對(duì)其改進(jìn)的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。