技術編號：12007090
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及一種包括硅酸鹽玻璃結構的半導體器件和制造半導體器件的方法。背景技術具有幾百或幾千伏阻壓能力的半導體器件（例如功率半導體器件）的邊緣終端區(qū)域對在覆蓋表面的電介質中積累的電荷敏感。正和負電荷都可不利地影響半導體器件的阻壓能力，例如絕緣柵雙極晶體管（IGBT），F(xiàn)ET(場效應晶體管)或二極管。因為在電介質中積累的電荷可被電場移位，這可在半導體器件操作期間導致不穩(wěn)定。任何種類的結終端，例如，場環(huán)結構、橫向摻雜變化（VLD）邊緣終端結構或結終端擴展（JTE）邊緣終端結構，可能被不利地影響并使半導...
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