技術(shù)編號:12036394
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種絕緣環(huán)、預(yù)清洗腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。背景技術(shù)預(yù)清洗技術(shù)已被廣泛地應(yīng)用在半導(dǎo)體制備工藝中,特別是對于集成電路、硅穿孔等制造工藝。預(yù)清洗的目的是去除晶圓表面上的沾污和雜質(zhì),以有利于后續(xù)沉積工藝的有效進行,保證集成電路器件的整體性能。常用的預(yù)清洗腔室通常采取電感耦合等離子體(ICP)加工設(shè)備,其基本原理是利用射頻電源產(chǎn)生的高壓交變電場,將工藝氣體(例如氬氣、氦氣、氫氣和氧氣等)激發(fā)形成等離子體,該等離子體中具有高反應(yīng)活性或高能量的離子,這些離子通過化學(xué)反應(yīng)...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。