技術(shù)編號：12041300
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種MOS晶體管的制作方法。背景技術(shù)現(xiàn)有半導體器件制作工藝中，由于應(yīng)力可以改變硅材料的能隙和載流子遷移率，因此通過應(yīng)力來提高MOS晶體管的性能成為越來越常用的手段。具體地，通過適當控制應(yīng)力，可以提高載流子(NMOS晶體管中的電子，PMOS晶體管中的空穴)遷移率，進而提高驅(qū)動電流，以此極大地提高MOS晶體管的性能。對于PMOS晶體管而言，可以采用嵌入式硅鍺技術(shù)(EmbeddedSiGeTechnology)以在晶體管的溝道區(qū)域產(chǎn)生壓應(yīng)力，進而提高載流子遷移率。所...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。