技術(shù)編號：12065875
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種高表面質(zhì)量碳化硅外延層的生長方法，尤其涉及一種降低基平面位錯對碳化硅外延層影響的方法。背景技術(shù)現(xiàn)在商用碳化硅襯底晶體的完美度大幅度提高，但是碳化硅襯底中還是存在大量的基平面位錯(BPD)，BPD可能會延伸至外延層，并且在正向?qū)娏鞯淖饔孟聲葑兂啥褖緦渝e(SF)，造成高頻二極管器件正向?qū)妷浩?。由于刃位錯(TED)對器件性能的影響要小得多，所以提高碳化硅外延生長過程中BPD轉(zhuǎn)化為TED的比例，阻止襯底中的BPD向外延層中延伸對提高器件的性能是十分重要的。目前通過采用4°偏軸襯...
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