技術編號：12065991
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體存儲裝置及其制造方法[相關申請]本申請享有以美國臨時專利申請62/256,425號(申請日：2015年11月17日)及美國專利申請15/056,066號(申請日：2016年2月29日)為基礎申請的優(yōu)先權。本申請通過參照這些基礎申請而包含基礎申請的全部內(nèi)容。技術領域?qū)嵤┓绞缴婕耙环N半導體存儲裝置及其制造方法。背景技術已提出有一種設置著隔著絕緣層堆疊而成的多個存儲單元的三維結(jié)構的半導體存儲裝置。在此種存儲裝置中，穩(wěn)定的單元電流的供給作為課題被列舉。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施方式提供一種能夠進行穩(wěn)定的...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
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