技術(shù)編號：12071389
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。10T非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2015年10月19日提交的美國申請第14/886,663號的優(yōu)先權(quán)，該美國申請根據(jù)35U.S.C.119(e)要求于2014年10月21日提交的美國臨時專利申請序列號第62/066,770號的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，這兩個美國申請通過引用被全部并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本公開大體上涉及半導(dǎo)體存儲器，并且更具體地涉及非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)及其操作方法，該非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器包括具有數(shù)量減少的晶體管的nvSRAM單元。背景計算機系...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。