技術(shù)編號(hào)：12086856
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種碳化硅的制備工藝。背景技術(shù)碳化硅具有較寬的禁帶寬度,已廣泛用于高頻、高溫及高能電子器件。但碳化硅禁帶寬度大的特點(diǎn)也限制了它的發(fā)射光譜范圍,從而影響了它在光致發(fā)光領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來,人們一直在尋找拓寬碳化硅發(fā)射光譜的方法。研究者制備了多孔、納米尺寸、以及包覆二氧化硅薄膜的碳化硅,顯著地拓寬了碳化硅的發(fā)射光譜范圍,目前可獲得藍(lán)綠光、藍(lán)光、紫藍(lán)光、紫外光和超紫外光。隨著碳化硅發(fā)射光譜的逐漸拓寬,一些研究者認(rèn)為碳化硅作為第三代半導(dǎo)體有望取代Si和GaN成為新的光致發(fā)光材料。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。