技術(shù)編號(hào)：12099387
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種測量方法，尤其是一種腔體起輝共振點(diǎn)的測量方法，于半導(dǎo)體設(shè)備射頻測試領(lǐng)域。背景技術(shù)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)由于其放電均勻、沉積溫度低、沉積速率高等優(yōu)點(diǎn)，近年來備受關(guān)注。圖1為PECVD設(shè)備的簡單示意圖，基片置于下級(jí)板，等離子體激勵(lì)源施加在上極板上，多為13.56MHz的射頻源。當(dāng)兩個(gè)電極間的電壓增加時(shí)，放電電流也隨之增加；當(dāng)施加的電壓增加到某一數(shù)值時(shí)，放電電流會(huì)急速增長，于是放電從非自持放電過渡到自持放電，氣體被擊穿。如果將網(wǎng)絡(luò)匹配器匹配器、同軸電纜和射頻源共同組成的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。