技術(shù)編號:12168828
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光伏材料領(lǐng)域,具體涉及一種銅鋅錫硫薄膜及其制備方法。背景技術(shù)四元化合物Cu2ZnSnS4(CZTS)與目前光電轉(zhuǎn)化效率最高、研究與應(yīng)用最為廣泛的光吸收層材料Cu(In,Ga)Se2(CIGS)具有相似的晶體結(jié)構(gòu),而又不含稀貴元素和有毒元素,被普遍認(rèn)為是可望替代昂貴CIGS的最佳材料之一,已成為目前薄膜太陽能電池領(lǐng)域的研究熱點。CZTS的帶隙寬度約為1.5eV,接近單結(jié)太陽能電池所需的最佳帶隙寬度(1.45eV)。同時由于是直接帶隙,CZTS具有超過104cm-1的光吸收系數(shù),這使得只需...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。