技術(shù)編號：12201720
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。多像素雪崩光電二極管相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2013年8月13日申請的美國臨時申請案號61/865,503的權(quán)益，所述申請出于所有目的以引用的方式整體并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本公開涉及半導體裝置，更具體來說，涉及具有光信號的內(nèi)部放大的半導體雪崩光電二極管。背景技術(shù)光敏半導體裝置在眾多科學和家用裝置中用于檢測和處理光學信息。這類裝置的關(guān)鍵元件是將光學信息轉(zhuǎn)換成電信號的光電二極管。光敏性和快速響應(yīng)時間是光電二極管的基本工作參數(shù)。常規(guī)地，在這類光學裝置中使用真空光電倍增器。然而，也已開發(fā)出可替代真空光電...
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