技術(shù)編號：12252069
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及光伏硅單晶生長技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種單晶熱場梯度附加調(diào)節(jié)系統(tǒng)。背景技術(shù)隨著光伏工業(yè)的變遷，硅單晶生長的質(zhì)量變得越來越重要。為了適應(yīng)市場，業(yè)界對直拉單晶熱場液面以上的做了諸如水冷熱屏、水冷套、擋環(huán)、內(nèi)導流筒材質(zhì)變換的一種或全部更改；但無法避免的是在在導流筒(包括水冷熱屏)以上存在熱場梯度劇烈變化區(qū)域，在700-1100℃之間之間晶體的熱歷史不能處于一個較為理想的狀態(tài)以保證單晶質(zhì)量；在400-700℃之間則無法有效的利用熱場冷卻系統(tǒng)，導致本可以避免的氧施主的大量生成，影響生產(chǎn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)...
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