技術(shù)編號：12275182
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種濺射錫靶和硫化銅靶制備銅錫硫薄膜及電池的方法，屬于光電材料新能源技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)銅鋅錫硫（Cu2ZnSnS4,CZTS）被認為是一種最具發(fā)展?jié)撃艿男滦捅∧ぬ栯姵夭牧?，其光吸收系?shù)大，并且禁帶寬度約為1.45eV與太陽光譜形成較佳匹配。在過去的幾年間，CZTS薄膜太陽電池被廣泛地研究且取得了較大的進展。然而，作為四元化合物半導(dǎo)體，CZTS在制備過程中很容易產(chǎn)生二次相，如Cu2S、SnS2和Cu2SnS3等，對薄膜的光學(xué)、電學(xué)性能產(chǎn)生不利影響。相比而言，三元銅錫硫（Cu2SnS3,...
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