技術(shù)編號：12338821
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅硫摻雜碳量子點的制備方法。背景技術(shù)量子點是在把激子在三個空間方向上束縛住的半導體納米結(jié)構(gòu)。這種約束可以歸結(jié)于靜電勢(由外部的電極，摻雜，應變，雜質(zhì)產(chǎn)生)，兩種不同半導體材料的界面(例如：在自組量子點中)，半導體的表面(例如：半導體納米晶體)，或者以上三者的結(jié)合。量子點具有分離的量子化的能譜。所對應的波函數(shù)在空間上位于量子點中，但延伸于數(shù)個晶格周期中。一個量子點具有少量的(1-100個)整數(shù)個的電子、電洞或電子電洞對，即其所帶的電量是元電荷的整數(shù)倍。碳...
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