技術(shù)編號：12369783
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高頻水平雙擴散金屬氧化物半導體LDMOS及制造方法。背景技術(shù)高頻水平雙擴散金屬氧化物半導體(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，LDMOS)廣泛應用于手機基站、廣播電視和雷達等領(lǐng)域。高頻LDMOS器件的結(jié)構(gòu)一般包括下沉區(qū)15、場氧區(qū)17、多晶硅層19、阱區(qū)20、源漏層、P型注入?yún)^(qū)24等。其中，電流從源漏層中的N+漏區(qū)23經(jīng)過阱區(qū)20流到N+源區(qū)22，然后通過接觸孔的金屬流到P型注入?yún)^(qū)24，然后通過下沉區(qū)1...
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