技術(shù)編號：12369802
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種終端結(jié)構(gòu)制造方法。背景技術(shù)功率器件的耐壓能力主要取決于器件結(jié)構(gòu)中特定PN結(jié)的反偏擊穿電壓，而功率MOSFET為了得到一定的電流能力，通常由很多的元胞并聯(lián)組成。在器件反向耐壓時，由于元胞和元胞之間的橫向電場相互抵消，因此擊穿一般不會發(fā)生在元胞內(nèi)部。但是最外圍的元胞會由于電場集中而發(fā)生擊穿。因此就需要特定的結(jié)構(gòu)來降低電場從而提高擊穿電壓，這些特殊結(jié)構(gòu)稱之為終端結(jié)構(gòu)。終端結(jié)構(gòu)大致可分為截斷型和延伸型兩大類，也有少數(shù)結(jié)構(gòu)是二者的結(jié)合。其中延伸型是在主結(jié)邊緣處...
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