技術(shù)編號(hào)：12369946
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及等離子體刻蝕方法，尤其硅通孔（TSV，即Through-SiliconVia）的等離子體刻蝕方法。背景技術(shù)典型的硅通孔制作工藝通常包括多個(gè)步驟：（a）在硅基片的硅材料層上形成光刻膠圖案；（b）以光刻膠圖案為掩模，等離子體刻蝕硅材料層，以在硅材料層內(nèi)初步形成硅通孔；（c）去除殘余的光刻膠圖案；（d）在無掩模保護(hù)的狀態(tài)下，全局等離子體刻蝕硅材料層，以減薄硅通孔使其達(dá)到預(yù)定的高度。上述的每一步驟都需要在特定的處理裝置中執(zhí)行。比如，步驟（a）通常在一光刻設(shè)備中執(zhí)行；步驟（b）通常在一電感耦合等...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。