技術(shù)編號(hào)：12370001
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制作方法，特別是涉及一種閃存存儲(chǔ)器的制作方法。背景技術(shù)閃存存儲(chǔ)器(Flash)是一種常見的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其存儲(chǔ)單元可能包含了由通道區(qū)所分隔的源極區(qū)與漏極區(qū)，以及設(shè)置在通道區(qū)上方的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其由浮動(dòng)?xùn)排c電荷捕獲層等部位所構(gòu)成，并以一介電質(zhì)，如氧化物，來(lái)與其他元件電性隔絕。舉例而言，電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)與通道區(qū)之間一般都會(huì)設(shè)置穿隧介電質(zhì)(即柵極氧化層)來(lái)彼此隔絕。存儲(chǔ)單元的控制柵位于電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的上方，其通過一電荷阻擋層(如現(xiàn)有技術(shù)中慣稱的多晶硅間介電質(zhì)或柵極間介電質(zhì)，int...
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