技術(shù)編號：12415744
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及大口徑元件鍍膜檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種利用斐索干涉儀檢測大口徑元件膜厚均勻性的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展為光刻技術(shù)提出了更高的需求，為了提高光刻系統(tǒng)的分辨率，曝光光源的波長不斷減小，同時投影物鏡的數(shù)值孔徑(NA)不斷增大。以目前主流的193nmArF準(zhǔn)分子激光光刻為例，已經(jīng)連續(xù)突破90nm，65nm和45nm節(jié)點，使用二次曝光技術(shù)，可以實現(xiàn)32nm的分辨率。為了提高投影物鏡的數(shù)值孔徑，必須使用較多大口徑、大口徑/曲率半徑的球面和非球面元件，而為保障大口徑元件表面膜系的一致性，需在...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。