技術(shù)編號：12415748
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及反應(yīng)磁控濺射鍍膜領(lǐng)域，特別是涉及一種磁控濺射反應(yīng)氣氛自反饋控制系統(tǒng)及其使用方法。背景技術(shù)隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的發(fā)展，化合物薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛，薄膜的質(zhì)量要求也愈加嚴(yán)苛。相對于化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備化合物薄膜工藝，反應(yīng)磁控濺射法因具備可操控性好、鍍膜溫度低、鍍膜質(zhì)量穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于各類鍍膜領(lǐng)域。而反應(yīng)磁控濺射中出現(xiàn)的遲滯效應(yīng)(提高反應(yīng)氣體流量，濺射速率大幅下降，原因是由于靶面形成了化合物層，即靶中毒)是該技術(shù)工藝運(yùn)行不穩(wěn)定的主要現(xiàn)象。所以，如何使靶面處于接近金屬模式...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。