技術(shù)編號：12415758
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種等離子體增強化學氣相沉積生長石墨烯的方法，主要是甲烷作為前驅(qū)體碳源，利用石英片表面鍍有一層金屬介質(zhì)膜，在石英片表面與鎳金屬接觸的界面催化原位生長出石墨烯薄膜，制備出無需轉(zhuǎn)移的大面積少層(1～5個原子層)石墨烯結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù)碳有多種多樣的存在形式，如礦藏形式，自然界中循環(huán)，或者在恒星中形成，并且碳的獨特化學性質(zhì)，使其能在自然界中以多種單質(zhì)形式存在。隨著人類對于碳元素的不斷探索和認知，碳單質(zhì)的各種同素異形體也不斷被發(fā)現(xiàn)。一直到2004年，英國著名科學家Geim和Novoselov...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。