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技術(shù)編號：12416739

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，尤其是第三代Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的制備技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜及其控制方法。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)作為第三代Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體，屬于寬帶隙半導(dǎo)體材料(～3.4eV)，在光電子器件等諸多應(yīng)用領(lǐng)域中，厚膜GaN作為同質(zhì)外延襯底將對器件性能提高起到巨大的推動作用。目前GaN晶體厚膜的研制方法，主要是金屬有機化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)、氫化物氣相外延法(HVPE)、分子束外延法(MBE)等。氣相生長法得到的氮化鎵晶體位錯密度較大，而傳統(tǒng)的制備硅(Si)、砷化鎵(G...
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